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  《辽宁师范大学学报(自然科学版)》为季刊,主要刊载数学、物理学、化学、生 ...

Sn掺杂量对Sn-Mg共掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

作者:王玉新 王磊 刘佳慧 褚浩博 蔺冬雪 丛彩馨

关键词: ZnO薄膜; 超声喷雾热解法; Sn-Mg共掺; 晶体结构; 表面形貌; 光电性能;

摘要:采用超声喷雾热解法在石英衬底上制备了Sn-Mg共掺的ZnO纳米薄膜.借助X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),光致发光谱(PL谱),紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和伏安特性曲线(I-V)等测试手段研究了Sn掺杂量的改变对薄膜的结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,适量的Sn掺杂可以提高薄膜的表面形貌和光电性能.随着Sn掺杂量的增加,薄膜的(101)衍射峰强度、紫外发光峰、透过率和导电率都是先增加后减小,带隙能量值从3.350eV增加到3.651eV,并且平均透过率均在80%~87%之间.当Sn掺杂量为0.004时,薄膜结晶质量最好,表面最致密,晶粒大小最均匀,紫外发光峰强度最大,导电率最高. 


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