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  《辽宁师范大学学报(自然科学版)》为季刊,主要刊载数学、物理学、化学、生 ...

p沟道Cu2O半导体薄膜场效应晶体管的制备及Ⅳ特性研究

作者: 李梦轲 吕东徽 赵佳佳 周施彤 刘丹妮

关键词: Cu2O 半导体薄膜 场效应晶体管

摘要:采用磁控溅射掩膜制备工艺,在n型Si衬底上分别制备了底栅型p沟道Cu2O半导体薄膜场效应晶体管(TFTs).用XRD、SEM、XPS等检测分析方法对不同条件下制备的Cu2O薄膜的晶体结构、表面形貌、化学成分进行了表征.对O2通量、退火温度及沟道宽度等因素对半导体薄膜及器件特性的影响进行了对比研究.研究发现,O2通量是制备Cu2O半导体薄膜的关键因素,器件IDS电流的绝对值随着栅压的绝对值的增大而增大,具有典型的p沟道增强型场效应晶体管特征.其Ⅳ特性与溅射沉积时间、沟道宽度、退火因素等有关,真空退火处理后有助于提高器件的IDS的绝对值.测试表明,制备的沟道宽度为50μm的典型器件的电导率、电流开关比和阈值电压分别为0.63 S/cm,1.5×102及-0.6V.


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